TOSHIBA 2N3A3620-B 功率半导体器件

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Description

TOSHIBA 2N3A3620-B 产品说明

TOSHIBA 2N3A3620-B 是一款高集成度的功率半导体器件。该器件采用了 TOSHIBA 公司的第 6 代 IGBT 技术,具有低电压降和高开关速度等优点,可广泛应用于工业电子、电力电子、变频器、电动汽车等领域。

产品参数

  • 最高耐压:600V
  • 额定电流:20A
  • 额定功率:100W
  • 导通电阻:0.13Ω
  • 关断电阻:0.21Ω
  • 封装:TO-3P

产品规格

规格 数值
最高耐压 600V
额定电流 20A
额定功率 100W
导通电阻 0.13Ω
关断电阻 0.21Ω

产品应用

TOSHIBA 2N3A3620-B 适用于以下领域:

  • 工业电子
  • 电力电子
  • 交流电机驱动器
  • 电动汽车