Description
TOSHIBA 2N3A3120-D 产品说明
TOSHIBA 2N3A3120-D 是一款 N沟道 MOSFET 晶体管，具有高效、稳定的特性。其主要应用于电源管理、电池充电、直流-直流转换器和电机控制等领域。
产品参数
- VDS（额定值）：30V
- ID（额定值）：12A
- RDS（ON）（额定值）：10 mΩ
- 级别：无铅封装
产品规格
- 封装：TO-252
- 通道类型：N沟道
- 线性电阻：10 mΩ
- 最大漏极电压：30V
- 最大漏极电流：12A
- 工作温度范围：-55℃~150℃
产品应用
TOSHIBA 2N3A3120-D 可以应用于以下领域：
- 电源管理
- 电池充电
- 直流-直流转换器
- 电机控制
