Description
TOSHIBA 2N3A3120-D 产品说明
TOSHIBA 2N3A3120-D 是一款N沟道增强型场效应管（MOSFET），它是为高速开关和功率转换应用而设计的。此外，该产品还具有以下特点：
- 高电压容忍度
- 低功耗
- 高可靠性
产品参数
| 参数 | 描述 |
|---|---|
| Vds | 120V |
| Id | 2.9A |
| Vgs(th) | 2.0-4.0V |
| Qg | 7.6nC |
| Rds(on) | 0.4Ω |
产品规格
- 封装：SOT-23
- 环境温度：-55°C 到 +150°C
- 存储温度：-55°C 到 +150°C
产品应用
TOSHIBA 2N3A3120-D 适用于以下应用：
- 电源管理
- 电动工具
- LED 照明
- 无线充电器
