TOSHIBA 2N3A3120-D 模块

  • Vds:60V
  • Id:100A
  • Rds(on):3.5mΩ
  • Qg:90nC
  • Vgs(th):2.0V

产品规格

  • 封装类型:TO-220SIS
  • 热阻:1.1℃/W
  • 工作温度范围:-55℃ ~ 175℃
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Description

TOSHIBA 2N3A3120-D 产品说明

TOSHIBA 2N3A3120-D 是一款 MOSFET 晶体管。它是一种高速开关型晶体管,适用于高频应用,如无线电通信设备等。该器件采用了 Trench MOS 结构和低噪声技术,具有低 Rds(on) 和快速开关速度等特点,能够提高系统的效率和性能。

产品参数

  • Vds:60V
  • Id:100A
  • Rds(on):3.5mΩ
  • Qg:90nC
  • Vgs(th):2.0V

产品规格

  • 封装类型:TO-220SIS
  • 热阻:1.1℃/W
  • 工作温度范围:-55℃ ~ 175℃

产品应用

TOSHIBA 2N3A3120-D 适用于以下领域:

  • 无线电通信设备
  • 高频电源
  • 电动汽车充电桩
  • LED 照明控制器
  • 伺服驱动器