Description
产品说明
TOSHIBA 2N3A3120-D是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管，可应用于各种开关电路和功率放大电路中。
产品参数
- 额定电压：600V
- 最大漏极电流：2.6A
- 漏极-源极电阻：2.4Ω
- 静态导通电阻：1.5Ω
- 栅-源极电压：±20V
- 工作温度范围：-55℃至150℃
产品规格
- 封装类型：TO-252（DPAK）
- 封装形式：卷带
- 包装数量：2500个/卷带
产品应用
TOSHIBA 2N3A3120-D可以用于以下应用：
- 电源开关
- 照明控制器
- 电机驱动器
- 家电电路
