Description
TOSHIBA 2N3A3120-D 产品说明
TOSHIBA 2N3A3120-D是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管,适用于大功率和高速开关电路,如DC-DC转换器、电源管理、蓝牙放大器和音频放大器等应用场合。
产品参数
- 静态特性
- 额定电压:600V
- 静态漏极-源极电阻:350mΩ (最大值)
- 转移电容:1740pF (典型值)
- 动态特性
- 输入电容:3.8nF (典型值)
- 输出电容:1.2nF (典型值)
- 开关时间:15ns (典型值)
产品规格
- 封装形式:TO-3P(N)
- 封装材料:铝合金
- 最大封装功率:150W
产品应用
TOSHIBA 2N3A3120-D可用于以下应用:
- DC-DC转换器
- 电源管理
- 蓝牙放大器
- 音频放大器