Description
TOSHIBA 2N3A3120-D 产品说明
TOSHIBA 2N3A3120-D 是一种 N 沟道 MOSFET，适用于高电压和高频率开关应用。该器件采用了 TOSHIBA 公司的 U-MOS IX 工艺，具有低导通电阻和快速开关速度。此外，TOSHIBA 2N3A3120-D 还具有保护电路，可以提高器件的可靠性和稳定性。
产品参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| V<sub>DSS</sub> | 600V |
| I<sub>D</sub> | 3A |
| R<sub>DS(ON)</sub> | 1.1Ω |
| Q<sub>g</sub> | 13nC |
| t<sub>d(on)</sub> | 16ns |
| t<sub>d(off)</sub> | 86ns |
产品规格
- 封装：TO-220
- 温度范围：-55°C 至 150°C
- 管脚数目：3
- 包装形式：管装
产品应用
TOSHIBA 2N3A3120-D 适用于高电压、高频率开关电源、电机驱动器、照明系统和电动汽车充电器等应用。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和保护电路，可以提高系统效率和可靠性。
