ENI GHW-12Z离子体发生器

ENI GHW-12ZABB S-093H 3BHB030478R0309
ABB S-123H 3BHB030479R0512
ABB UFC912A101 3BHE039426R0101
ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001
ABB S-113N 3BHB018008R0001
NVIDIA H100 PCIE
NVIDIA H800 PCIE
LAM 839-101612-885
LAM 839-101612-887
LAM 719-101612-885
LAM 719-101612-887
LAM 08340205
LAM 09100039
LAM 810-006490-006
LAM 810-028296-173
LAM 810-028296-174
LAM 810-047858-101
LAM 810-072687-119

分类: 标签:

Description

ENI GHW-12Z

产品描述:

  • 该模块是 ENI GHW 系列射频等离子体发生器的一部分。
  • 它设计用于产生射频能量,用于各种工业和科学应用中的等离子体生成。
  • 这些应用通常包括半导体制造、薄膜沉积、材料处理和其他需要精确等离子体控制的工艺。
  • 通过搜索结果得知,该模块属于MKS Instruments公司产品。因为ENI公司已经被MKS Instruments公司收购。
  • 该模块被应用在半导体制造等高科技领域。

产品参数和规格:

根据搜索结果,以下是一些关键参数和规格:

  • 类型:射频等离子体发生器
  • 制造商:ENI(现为 MKS Instruments)
  • 系列:GHW
  • 型号:GHW-12Z(GHW-12)
  • 频率:13.56 MHz
  • 功率:1.25kW