Description
产品名称：DIODES STB4NK60ZT4
产品描述：DIODES STB4NK60ZT4 是一款用于电力电子应用的 N 沟道 MOSFET，具有 600 V 的耐压和 4 A 的额定电流。它采用 TO-220 封装，方便安装。
产品参数：
- 耐压：600 V
- 额定电流：4 A
- 开关速度：1.5 ns
- 漏极电阻：1.7 mΩ（RDS(on)）
- 栅极电容：120 nF
- 封装：TO-220
产品规格：
- 尺寸：7.6 x 4.5 x 2.1 cm
- 重量：27 克
应用：DIODES STB4NK60ZT4 可用于各种电力电子应用，如变压器驱动、逆变器、电机控制等。
特点：
- 高耐压：600 V 的耐压，可满足各种应用需求。
- 高电流：4 A 的额定电流，可驱动功率较大的负载。
- 快开关速度：1.5 ns 的开关速度，可提高系统效率。
- 低漏极电阻：1.7 mΩ（RDS(on)）的漏极电阻，可降低功耗。
使用注意事项：
- 栅极电压应控制在 15 V 以下。
- 栅极电流应控制在 10 mA 以下。
具体说明：
- STB4NK60ZT4 采用 TO-220 封装，方便安装。
- 模块的正极接到栅极，负极接到源极。
- 模块的栅极电压应控制在 15 V 以下，以免损坏模块。
- 模块的栅极电流应控制在 10 mA 以下，以免损坏模块。
应用案例：
- STB4NK60ZT4 可用于变压器驱动，驱动功率较大的变压器。
- STB4NK60ZT4 可用于逆变器，将直流电转换为交流电。
- STB4NK60ZT4 可用于电机控制，控制电机的转速和方向。
